2666 MHz, CL19, 1.2 V, ECC, 2Rx8
Samsung
2933 MHz, CL21, 1.2 V, 2Rx8, Поддержка ECC, Поддержка буферизации (Registered)
MICRON
2666 MHz, CL19, 1.2 V, ECC, Registered, 2Rx4
Dell
2666 MHz, CL19, 1.2 V, 2Rx8, для серверов
2666 MHz, no ECC, Unbuffered, для систем хранения данных
Synology
2666 MHz, CL19, 1.2 V, ECC, Unbuffered, (Kit:1x16GB), для серверов
Kingston
1600 MHz, CL11, 1.5 V, ECC, Unbuffered, (Kit:1x8192MB), для серверов
Transcend
1600 MHz, CL11, 1.5 V, ECC, Registered, (Kit:1x8192MB), для серверов
GOODRAM
2666 MHz, CL19, 1.2 V, ECC, Registered, 1Rx8
Объем памяти — 8 GB, Частота памяти — 2666 MHz, Тип памяти — DDR4, CL19, Напряжение — 1.2 V, ECC, для серверов
2666 MHz, CL19, 1.2 V, Registered, (Kit:1x8192MB), для серверов
1600 MHz, CL11, 1.35 V, ECC, Registered, (Kit:1x8192MB), для серверов
2933 MHz, CL21, 1.2 V, ECC, Registered, 1Rx8
2666 MHz, CL19, 1.2 V, ECC, Unbuffered, (Kit:1x8192MB), 1Rx8
3200 MHz, CL22, 1.2 V, ECC, Unbuffered, (Kit:1x8192MB), 1Rx8
2666 MHz, CL19, 1.2 V, ECC, Registered, (Kit:1x8192MB), Single Rank
Объем памяти — 8 GB, Частота памяти — 2666 MHz, Тип памяти — DDR4, CL19, Напряжение — 1.2 V, Dual Rank, Поддержка ECC, Поддержка буферизации (Registered)
Объем памяти — 8 GB, Частота памяти — 2666 MHz, Тип памяти — DDR4, CL19, Напряжение — 1.2 V, ECC, Registered, 1Rx8
HP
Объем памяти — 8 GB, Частота памяти — 2666 MHz, Тип памяти — DDR4, CL19, Напряжение — 1.2 V, ECC, Registered, (Kit:1x8192MB), для серверов
1600 MHz, 1.35 V, ECC, Registered, (Kit:1x16GB), для серверов
2400 MHz, CL17, 1.2 V, 1Rx8, (Kit:1x8192MB), Поддержка ECC
2666 MHz, 1.2 V, ECC, Registered, (Kit:1x16GB), для серверов
2400 MHz, CL17, 1.2 V, ECC, Registered, (Kit:1x16GB), для серверов
Объем памяти — 16 GB, Частота памяти — 2666 MHz, Тип памяти — DDR4, CL19, Напряжение — 1.2 V, ECC, 2Rx8
2666 MHz, CL19, 1.2 V, ECC, Registered, (Kit:1x16GB), для серверов
